Name: Vishay Siliconix SIHF6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHF6N65E-GE3
Price: 1.2028 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SIHF6N65E-GE3

Artikelnummer:

SIHF6N65E-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 650V 7A TO220

Datenblätte:

1.SIHF6N65E-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Advisory 20/Mar/2019.pdf Mult Devices 18/Jul/2017.pdf SIHF6N65E.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SIHF6N65E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHF6N65E-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Full Pack
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	31W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	820 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)
Grundproduktnummer	SIHF6
SIHF6N65E-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SIHF6N65E-GE3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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